| 型号： | BFG35,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS NPN 10V 150MA SOT223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) |
| BFG35,115 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 18V |
| 频率 - 转换 | 4GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | - |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 25 @ 100mA，10V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 150mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SC-73 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 568-6187-1 |